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NTE159
SKU C825D2232
Precio original

C$48,00

Precio de oferta

C$24,00

Transistor PNP de propósito general. IC: 800 mA, PD: 625 mW, VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V, encapsulado TO-92. Original

 

Hoja de datos.

Cantidad

Solo 3 disponible(s)

Especificaciones tecnicas:

  • Transistor Bipolar (BJT) PNP
  • Dispositivo diseñado para operar como amplificador de propósito general y en conmutación
  • IC max: 800 mA
  • PTOT: 625 mW
  • VCEO: 80 V, VCBO: 80 V, VEBO: 5 V
  • hFE : 50 min., 250 max. (@ IC=10 mA, VCE=10 V)
  • VCE(SAT): 0.15 V max. (@ IC=150 mA, IB=15 mA)
  • Encapsulado: TO-92
  • Complementario: NTE123AP
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